Samsung comenzará a fabricar chips de 3 nm para servidores
Samsung Foundry hizo un anuncio importante el año pasado sobre el inicio de la producción en masa y el envío de chips de 3 nm sin revelar la identidad de su cliente inicial. Surgieron informes que sugerían que estos chips se estaban fabricando para empresas mineras de criptomonedas en forma de chips ASIC de 3 nm. Recientemente, parece que han conseguido un cliente adicional.
Según los informes, Samsung Foundry comenzará a fabricar SiP (System-in-Package) de nivel de servidor con HBM (High Bandwidth Memory) para un cliente desconocido de EE. UU. El chip está diseñado por la firma surcoreana AD Technology. No hay muchos detalles disponibles sobre el chip que se está fabricando, pero cuenta con memoria HBM y utiliza tecnología de empaquetado 2.5D. Tampoco está claro si Samsung Foundry está utilizando SF3E (proceso de fabricación de 3 nm de primera generación) o SF3 (proceso de 3 nm de segunda generación) para fabricar el chip.
Jeong Ki-bong, vicepresidente del equipo de desarrollo empresarial de la división de fundición de Samsung Electronics, expresó su alegría al anunciar los esfuerzos de colaboración de la empresa con AD Technology en un proyecto de diseño de 3 nanómetros. Destacó que una iniciativa de este tipo serviría como un ejemplo positivo para futuras empresas conjuntas entre Samsung Electronics Foundry Division y su red de socios. En el futuro, la empresa sigue comprometida a fomentar relaciones estrechas con todas las partes interesadas para garantizar la entrega de productos y servicios excepcionales a sus valiosos clientes.
La división de fundición de Samsung inició la producción de chips de 3 nanómetros antes que su competidor TSMC, sin embargo, no pudieron conseguir una clientela importante como AMD, Apple, MediaTek, NVIDIA y Qualcomm. Recientemente, Apple presentó su chip A17 Pro que utiliza el proceso de fabricación de 3 nm de TSMC. Se prevé que el propio proceso de 3 nm de Samsung, conocido como SF3, se lance en un futuro próximo y ofrece eficiencia energética, rendimiento y área general mejorados a través de la capacidad de variar los anchos de los canales de nanohojas dentro de un solo tipo de celda.
Anticipándose al año 2025, se proyecta que Samsung Foundry habrá desarrollado un proceso de fabricación de chips de 3 nanómetros (nm) de tercera generación conocido como SF3P. Esta tecnología avanzada contará con capacidades de rendimiento mejoradas y podrá utilizarse tanto en aplicaciones de servidor como de dispositivos móviles.
En los últimos tiempos, se ha hecho evidente que las capacidades de Samsung Foundry en la fabricación de semiconductores no están a la altura de las de TSMC. Se ha descubierto que los chips producidos por Samsung Foundry requieren una mayor cantidad de energía para realizar tareas idénticas, lo que resulta en una mayor disipación térmica y velocidades de procesamiento reducidas, lo que en última instancia conduce a un rendimiento general inferior en comparación con productos comparables de TSMC.
Se prevé que la adopción por parte de Samsung Foundry de un proceso de 3 nm que utiliza transistores Gate-All-Around en lugar de la tecnología FinFET producirá un mejor rendimiento y gestión térmica. En consecuencia, se proyecta que la empresa cerrará la brecha con TSMC en términos de capacidades de fabricación para finales de este año.
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